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摄影知识必备!图像传感器百年发展史
摄影知识必备!图像传感器百年发展史
2021-09-06 15:10:35

2012年,柯达(Kodak)公司正式向美国曼哈顿市法院提出破产保护申请。这在当时引起了国内外的广泛关注和热议,谁也没有料到,这家成立于1880年的世界影像产品龙头老大会在几年内轰然倒塌。自此,柯达公司生产的胶卷相机和相纸逐渐淡出视野,成为了一代人的回忆。

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图1.Kodak胶卷相机及彩色胶卷

柯达公司没落的背后,是整个影像产品市场的更新换代。进入21世纪后,数字成像技术以惊人的速度发展,并迅速取代胶片成像技术,成为影像市场当之无愧的王者。促进这一产业转型的正是图像传感技术的兴起。


图像传感起源

图像传感技术起源于光电效应的发现。1886年12月,德国物理学家海因里希·鲁道夫·赫兹(Heinrich Rudolf Hertz)在实验中意外发现:紫外线照射到金属表面时,能使金属发射带电粒子电流,这种奇特的现象后来被称为光电效应。1905年3月,犹太裔物理学家阿尔伯特·爱因斯坦(Albert Einstein)创造性地运用相对论和光量子理论解释了光电效应,列出了光电效应方程,因此获得了诺贝尔物理学奖。

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图2.Heinrich Rudolf Hertz必发7790电效应原理

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图3.Albert Einstein必发7790电效应方程


图像传感器问世

在俄国和美国科学家的持续研究下,1936年,美国无线电公司(Radio Corporation of America,RCA)发明了世界上第一支光电倍增管(Photo Multiplier Tube,PMT),标志着图像传感器的正式问世。PMT基于光电效应原理,能够将极微弱的光信号转换成电信号输出,并获得惊人的电子倍增能力,由于其极高的光探测灵敏性,因此至今在空间研究、医学、生物学、天文学、化学等领域都发挥着重要作用。

摄影知识必备!图像传感器百年发展史(图4)

图4.光电倍增管原理示意图


CCD走向市场

真正让图像传感器走进大众视野的,是电荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)的发明。1969年,美国贝尔实验室正在大力发展影像电话和半导体气泡式内存技术,贝尔实验室的科学家威拉德·博伊尔(WillardS. Boyle)和乔治•史密斯(George Smith)创造性地将两种技术结合,产生了设计电荷耦合器件的原理设想,并制作出了能够沿着一片半导体的表面传递电荷的器件,并将其称为“电荷气泡原件”(Charge‘Bubble’Devices,CBD)。在后续的实验中他们发现光电效应能够使此种元件表面产生电荷,进而组成数位影像,因此产生了采用电感耦合器件捕捉图像的想法;在无数次的实验后,1971年,他们终于采用简单的线性设备捕捉到了图像,CCD由此诞生。

摄影知识必备!图像传感器百年发展史(图5)

图5.George E. Smith (左)和WillardS. Boyle(右)

1973年,美国仙童公司制成了第一枚商用CCD图像传感器,标志着CCD从实验室走向市场,进入了实用阶段;1975年,柯达公司采用仙童公司生产的Fairchild201100型CCD制造出了世界上第一台数码相机,开启了影像产品的数字时代,遗憾的是柯达公司并未重视数码相机的发展和市场拓展,仍然将重心放在胶卷相机的市场开拓上,最终失去了影像产品的巨大市场。

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图6.第一枚商用CCD(美国Fairchild)

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图7.第一台数码相机(美国Kodak)

20世纪末,随着集成电路行业的快速发展,CCD的性能得到了飞速提升。1978年,索尼公司(Sony)制造出了具有12万像素的CCD,并在1980年发布了全世界第一个商品化量产的12万像素CCD彩色照相机(XC-1);在XC-1成功的经验上,1981年,索尼发布了具有27.9万像素的彩色CCD照相机(Mavica Camera),这台相机具有成熟的小型化设计和较高的成像质量,使影像市场意识到CCD在摄像领域的巨大潜力,受此影响,德国潘太康(Pentacon)、日本松下(Panasonic)、富士(Fujifilm)、美能达(Minolta)等公司纷纷投入到CCD相机的研发过程中,相继推出了各自的CCD相机,加速了CCD技术的进步。1986年,CCD像素突破100万,达到了140万;1991年,CCD开始实现量产,像素达到400万。

摄影知识必备!图像传感器百年发展史(图8)

图8.Sony Mavica Camera

随着CCD成像质量的提升和生产技术的进步,数码相机在影像市场的占有率开始激增,1996年全球数码相机产量约为100万台,2000年达到了1000万台,在短短5年内激增了10倍,发展前景无比广阔。

进入21世纪后,CCD在最初几年风光无限。得益于CCD性能的提升和价格的下降,平价而又高性能的数码相机真正走向大众,美能达DIMAGE7,索尼F707,佳能G2,卡西欧QV4000等数码相机多足鼎立,占有了巨大的市场,热闹非凡。而在CCD影像市场繁荣的背后,CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器却在悄悄崛起。


CMOS崛起

CMOS是互补金属氧化物半导体的缩写,其生产工艺与计算机芯片和存储设备等集成电路的工艺相同。CMOS的崛起得益于集成电路产业的快速发展。1963年,仙童半导体公司的C.T.Sah和Frank Wanlass提交了一篇关于CMOS工艺制程技术的论文,首次在半导体业界提出CMOS工艺制程技术。1968年,美国无线电公司亚伯·梅德温(Albert Medwin)研究团队研发出世界第一个CMOS集成电路。进入20世纪70年代后,先进光刻技术的不断发展大大改善了CMOS工艺制程,CMOS尺寸进入亚微米阶段。20世纪90年代,浅槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)、金属硅化物(Salicide)等工艺开始应用于CMOS,CMOS工艺制程不断更新,特征尺寸不断缩小。

摄影知识必备!图像传感器百年发展史(图9)

图9.Sony IMX028 CMOS

自CMOS诞生以来,其特征尺寸一直按照“摩尔定律”所预测的方向发展。“摩尔定律”由英特尔(Intel)公司的创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出,其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。1999年,CMOS的特征尺寸为180nm,2009年达到了32nm,十年间,一块同样大小的CMOS芯片,集成度提升了将近32倍。

摄影知识必备!图像传感器百年发展史(图10)

图10.摩尔定律下的芯片特征尺寸变化

CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)是采用CMOS技术制作的图像传感器。进入21世纪后,由于CMOS工艺制程技术的飞速发展,CIS的性能逐渐达到并超越CCD,成为图像传感器消费市场的主流。2000年,佳能公司推出了第一款采用CIS芯片的数码单反相机D30,使CIS取代CCD成为可能;2002年,佳能推出了第一款采用CIS的全画幅数码单反相机1Ds,这款相机具有1140万像素,与同类产品相比具有较大的价格优势,因此迅速走红,取得了市场成功。2007年,基于CIS的SiimpelAF相机模型研发成功,标志着相机小型化重大突破,数码相机开始进入芯片时代。据Frost&Sullivan统计,2012年,全球图像传感器市场规模达到了99.6亿美元,而其中CIS占比为55.4%,CCD占比44.6%。2019年,全球图像传感器市场增长至198.7亿美元,其中CIS占比增长至83.2%,市场规模远超CCD。

摄影知识必备!图像传感器百年发展史(图11)

图11.佳能D30(左)和佳能1Ds(右)

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图12.Siimpel AF相机模型

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图13.图像传感器发展历程概述


CIS成为主流

为什么CIS能够在短短几年内快速取代CCD,成为图像传感器领域的No.1呢?

首先是成本问题,CCD中的电路和元件集成在半导体单晶材料上,制作工艺复杂,世界上只有达尔萨(Dalsa)、索尼(Sony)、松下(Panasonic)等少数厂家能够生产CCD晶元,成本较高;而CIS集成在金属氧化物半导体材料上,其制作工艺与计算机芯片和存储设备等半导体集成电路相同,工艺简单,成本较低。因此,同性能下,CIS的成本要比CCD低得多。

其次是集成问题,CCD仅能输出模拟电信号,需要增加后续的地址译码器、模拟转换器、图像信号处理器,并且需要提供三组不同电压的电源同步时钟控制电路,因此集成度极低;而CIS采用集成电路的设计工艺,能够将所有模块集成在一块芯片上,集成度很高。最后,CIS与CCD相比具有较高的读出速率和较低的功耗,因此更适用于手机、数码相机等便携式设备。

由于CIS低成本、小体积、高速率和低功耗的特点,CIS成为了图像传感器市场的主流,广泛应用于相机、手机、航天、军工、安防监控、车载摄像、内窥摄像等领域。根据《2020-2024年CIS图像传感器行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示2013-2019年,全球CIS出货量年均复合增长率为15.2%,销售额年均复合增长率为13.1%,均呈现快速增长态势;2019年,全球CIS出货量达到60.9亿颗,销售额达到154.7亿美元。预计到2024年,全球CIS出货量将达到100亿颗以上,销售额将达到230亿美元以上。

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图14.CIS在各领域的应用

随着光刻技术和生产工艺的进步,CIS像素尺寸进一步缩小,同时还与芯片堆叠等其他先进技术结合。2012年,索尼推出了两层堆叠式图像传感器;2018年,三星和索尼开发了三层堆叠式图像传感器。芯片堆叠可以将CIS的传感功能和处理功能分层,不仅可以减小芯片尺寸,还能够提供大规模并行信号的传输,实现高速读取和写入图像传感器的所有像素数据,从而满足自动驾驶、医学成像和高端摄影等领域的应用。这些新兴领域的应用促进了CIS技术的源头创新,为视觉科技发展提供持续动力。

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